所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS(Electrical Over Stress)问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项测...
所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项...
1. 在使用闩锁测试设备之前,一定要对闩锁进行仔细的检测和校准,确保测试结果的准确性。 2. 使用闩锁测试设备时,一定要按照操作手册的要求进行操作,注意安全和防静电措施。 3. 在进行闩锁维修和测试时,一定要使用符合要求的零部件和工具,以免因使用不当导致闩锁故障。 4. 在处理...
另外由于元件结构的特性,所谓的闩锁 (Latch-up, LU) 效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起功能上的问题,甚至会使得芯片永久损伤,同样地,也需要在芯片设计上来避免 LU 的问题。 为了验证ESD与LU的防护能力,第一道课题就是如何运用专门的测试机台,遵循国际规范定义的条件与步骤,确认集成电路在 ESD 与 ...
美信检测金牌客服 芯片闩锁基本测试方法包括:提高器件的电源电压,观察电源电流变化来判断触发电平;施加10V电源电压,模拟正常工作状态下电干扰引起的触发,根据电源电流变化判断电信号电平;利用扫描电镜的电子束感生电流像对CMOS IC进行分析,确定闩锁具体通路。您可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。
另外由于元件结构的特性,所谓的闩锁 (Latch-up, LU) 效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起功能上的问题,甚至会使得芯片永久损伤,同样地,也需要在芯片设计上来避免 LU 的问题。 为了验证ESD与LU的防护能力,第一道课题就是如何运用专门的测试机台,遵循国际规范定义的条件与步骤,确认集成电路在 ESD 与 ...
MK.4TE ESD 和闩锁测试系统 Thermo Scientific™ MK.4TE ESD 和闩锁测试系统 Thermo Scientific™ MK.4TE ESD 和闩锁测试系统是一个完整、耐用且功能丰富的一站式仪表测试包,可在销计数最多为 2304 个销的设备上执行自动和手动 HBM、MM 和闩锁测试。
今天来讨论一下芯片Latchup测试。 参考标准:JESD78E 车规芯片参考标准:AEC_Q100-004D 一. 闩锁效应产生的背景 早在1962年CMOS结构就被提出,但其应用被局限于某些特殊的领域,在这些应用中,性能和封装密度并不是主要考虑的因素。随着技术进步和工艺支持,CMOS电路已经占据了集成电路市场上很大的份额。低功耗、无比逻...
* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应. 在整体硅的 CMOS 管下, 不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结, 而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管. 因此CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能构成一个电路. 这就是...